概述：

这些四门单片互补MOS （CMOS) 集成电路构造与N沟道和P-CHAN-NEL增强模式晶体管有相同的源和吸收电流的能力，并符合标准的B串联输出驱动器，这些器件通过缓冲输出提高传输特性，从而提供非常高的增益。

特点：

低功率TTL

参数额定值5V-10V-15V

对称的输出特性

在整个温度范围最大输入漏电流是在15V时是1mA

扇出驱动74L或1驱动74LS

封装形式：DIP14